삼성전자가 세계 최초로 3나노 반도체 공정 공정 개발에 성공했다. 이재용 삼성전자 부회장은 새해 첫날부터 기술 개발 현장을 찾으며 시스템 반도체에 힘을 싣겠다는 의지를 보였다.

이재용 삼성전자 부회장은 2일 화성사업장 내에 있는 반도체연구소를 찾아 3나노 공정기술을 보고 받고 디바이스솔루션(DS) 부문 사장단과 함께 차세대 반도체 전략을 논의했다.

이 부회장이 새해 첫 경영 행보를 반도체 개발 현장에서 시작한 것은 메모리에 이어 시스템 반도체 분야에서도 세계 1위가 되겠다는 비전을 다시 한번 임직원과 공유하며 목표달성 의지를 다진 것으로 풀이된다.
 

3나노 반도체는 반도체 미세화의 한계를 극복할 수 있는 차세대 기술 'GAA(Gate-All-Around)'를 적용한 것이 특징이다. 최근 공정 개발을 완료한 5나노 제품에 비해 칩 면적을 약 35% 이상 줄일 수 있으며 소비전력을 50% 감소함과 동시에 처리속도(성능)는 약 30% 향상시킬 수 있다.

삼성전자는 지난해 4월 133조원 투자와 1만 5000명 고용 창출을 통해 2030년까지 시스템 반도체 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 선포한 바 있다.

이 부회장은 "과거의 실적이 미래의 성공을 보장해주지 않는다. 역사는 기다리는 것이 아니라 만들어가는 것이다. 잘못된 관행과 사고는 과감히 폐기하고 새로운 미래를 개척해 나가자"고 당부했다.

이어 "우리 이웃, 우리 사회와 같이 나누고 함께 성장하는 것이 우리의 사명이자 100년 기업에 이르는 길임을 명심하자"고 강조했다.